我团队"高居里温度稀磁半导体新材料的发现及研究"荣获中国材料研究学会科学技术1等奖

　 　2018年中国材料科学大会(CMRS)于7月13日至16日在厦门举行，这是我国规模和影响力最大的材料领域盛会，本届参会者6000余人。会议盛况空前，吸引了包括国际材料联合会主席等材料领域著名学者参会。在大会开幕式上，宣布了中国材料研究学会科学技术奖，中国科学院物理研究所靳常青团队的“高居里温度稀磁半导体新材料发现及基本性能研究”荣获1等奖。

　　探索室温稀磁半导体是Science发布的125个重大科学问题之一。靳常青率队在2013年发现了以(Ba,K)(Zn,Mn)2As2(简称BZA)为代表的具有自主知识产权（Nature Communications 4,1442 (2013)；Chinese Science Bulletin 59, 2524 (2014)；ZL201210593000.8）的新1代稀磁半导体材料，刷新了稀磁半导体材料居里温度记录。通过在稀磁半导体中引入电荷与自旋掺杂分离的新机制，结合高压实验技术，开展了面向应用的新材料设计研制、表征、多场调控研究。BZA新型稀磁半导体的研究成果收入2015年IEEE发布的面向自旋电子应用的演生材料路线图，BZA和(GaMn)As入选路线图里2个关键的稀磁半导体里程碑材料，路线图推荐BZA为优先发展的稀磁半导体材料体系。

　　我们近期成功生长了BZA大尺寸单晶，通过和李永庆研究组、国科大Kavili中心顾波教授及美国哥伦比亚大学Uemura教授的密切合作，正在积极推进基于稀磁、超导和磁性材料的同结构多组合异质结构建的全链条创新研究。